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카드뮴 @ 화학 원소의 주기율표

12345678 910111213141516 1718
IIIIIIbIVb VbVIbVIIbVIIIbIb IIbIIIIVVVI VIIVIII
1H
1.0079
2He
4.0026
3Li
6.9412
4Be
9.0121
5B
10.811
6C
12.010
7N
14.006
8O
15.999
9F
18.998
10Ne
20.179
11Na
22.989
12Mg
24.305
13Al
26.981
14Si
28.085
15P
30.973
16S
32.065
17Cl
35.453
18Ar
39.948
19K
39.098
20Ca
40.078
21Sc
44.955
22Ti
47.867
23V
50.941
24Cr
51.996
25Mn
54.938
26Fe
55.845
27Co
58.933
28Ni
58.693
29Cu
63.546
30Zn
65.409
31Ga
69.723
32Ge
72.641
33As
74.921
34Se
78.963
35Br
79.904
36Kr
83.798
37Rb
85.467
38Sr
87.621
39Y
88.905
40Zr
91.224
41Nb
92.906
42Mo
95.942
43Tc
98.906
44Ru
101.07
45Rh
102.90
46Pd
106.42
47Ag
107.86
48Cd
112.41
49In
114.81
50Sn
118.71
51Sb
121.76
52Te
127.60
53I
126.90
54Xe
131.29
55Cs
132.90
56Ba
137.32
57La
138.90
72Hf
178.49
73Ta
180.94
74W
183.84
75Re
186.20
76Os
190.23
77Ir
192.21
78Pt
195.08
79Au
196.96
80Hg
200.59
81Tl
204.38
82Pb
207.21
83Bi
208.98
84Po
208.98
85At
209.98
86Rn
222.01
87Fr
223.01
88Ra
226.02
89Ac
227.02
104Rf
261.10
105Db
262.11
106Sg
266.12
107Bh
264.12
108Hs
269
109Mt
278
110Ds
281
111Rg
282
112Cn
285
113Nh
286
114Fl
289
115Mc
290
116Lv
293
117Ts
294
118Og
294
란타넘족58Ce
140.11
59Pr
140.90
60Nd
144.24
61Pm
146.91
62Sm
150.36
63Eu
151.96
64Gd
157.25
65Tb
158.92
66Dy
162.50
67Ho
164.93
68Er
167.25
69Tm
168.93
70Yb
173.04
71Lu
174.96
악티늄족90Th
232.03
91Pa
231.03
92U
238.02
93Np
237.04
94Pu
244.06
95Am
243.06
96Cm
247.07
97Bk
247.07
98Cf
251.07
99Es
252.08
100Fm
257.09
101Md
258.09
102No
259.10
103Lr
260.10
알칼리 금속 알칼리 토금속 전이 금속 전이후금속 메탈로이드 비 금속 할로겐 비활성 기체
요소

48

Cd

카드뮴

112.4118

2
8
18
18
2
카드뮴 사진
기본 속성
원자 번호48
원자량112.4118 amu
요소군전이 금속
기간5
그룹2
차단하다s-block
Discovery year1817
동위원소 분포
106Cd
1.25%
108Cd
0.89%
110Cd
12.51%
111Cd
12.22%
112Cd
24.13%
114Cd
28.72%
116Cd
7.47%
106Cd: 1.43%108Cd: 1.02%110Cd: 14.35%111Cd: 14.02%112Cd: 27.68%114Cd: 32.94%116Cd: 8.57%
106Cd (1.43%)
108Cd (1.02%)
110Cd (14.35%)
111Cd (14.02%)
112Cd (27.68%)
114Cd (32.94%)
116Cd (8.57%)
물리적 특성
밀도 8.69 g/cm3 (STP)
(H) 8.988E-5
마이트네리움 (Mt) 28
녹는점321.18 °C
헬륨 (He) -272.2
탄소 (C) 3675
비등765 °C
헬륨 (He) -268.9
텅스텐 (W) 5927
화학적 특성
산화 상태
(덜 일반적)
+2
(-2, +1)
제일 이온화 에너지 8.994 eV
세슘 (Cs) 3.894
헬륨 (He) 24.587
전자 친화 -0.700 eV
노벨리움 (No) -2.33
(Cl) 3.612725
전기음성도1.69
세슘 (Cs) 0.79
(F) 3.98
원자 반경
공유 결합 반경 1.36 Å
(H) 0.32
프랑슘 (Fr) 2.6
반 데르 발스 반지름 1.58 Å
(H) 1.2
프랑슘 (Fr) 3.48
금속 반경 1.51 Å
베릴륨 (Be) 1.12
세슘 (Cs) 2.65
48CdWebQC.Org공유 결합메탈릭반 데르 발스
화합물
공식이름산화 상태
CdCl2염화카드뮴+2
Cd(NO3)2질산카드뮴+2
CdSO4황산카드뮴+2
CdBr2카드뮴 브로마이드+2
CdO산화카드뮴+2
CdTe카드뮴 텔루라이드+2
CdSe카드뮴 셀레나이드+2
CdI2요오드화카드뮴+2
CdF2불화카드뮴+2
Cd(BF4)2카드뮴 테트라플루오로보레이트+2
Cd(CH3CO2)2카드뮴 아세테이트+2
Cd(CN)2시안화카드뮴+2
전자적 특성
껍질당 전자2, 8, 18, 18, 2
전자 배치[Kr] 4d105s2
보어 원자 모형
보어 원자 모형
궤도 상자 다이어그램
궤도 상자 다이어그램
원자가 전자12
루이스 점 구조 카드뮴 루이스 점 구조
궤도 시각화
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▶️
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전자-

카드뮴(Cd): 주기율표 원소

과학적 종설 논문 | 화학 참조 시리즈

요약

카드뮴(Cd)은 주기율표 12족에 위치하는 부드럽고 은백색의 후이행 금속으로, 원자번호 48, 원자량 112.414 ± 0.004 u입니다. 이 원소는 주로 +2 산화 상태를 나타내며, 핵반응로 제어봉 및 광전지 태양전지 등 산업적 응용이 중요한 화합물을 형성합니다. 카드뮴은 육방 최밀 집합 결정 구조를 가지며, 특히 ¹¹³Cd 동위원소는 뛰어난 중성자 흡수 단면적을 보유하고 있습니다. 이 원소는 지각에 0.1-0.5 ppm 농도로 자연에 존재하며, 아연 광석의 부생광물로만 산출됩니다. 제한된 자연 존재량에도 불구하고 핵기술 및 재생에너지 시스템에서의 특수 응용으로 인해 현대 산업에서 중요한 역할을 하지만 환경 독성 문제로 인해 전통적 용도는 제한되고 있습니다.

서론

카드뮴은 주기율표 12족의 d-블록 후이행 금속으로서 48번 원소를 차지하며, 아연과 수은과 함께 두 번째 전이금속 계열을 완성합니다. 전자배치 [Kr] 4d¹⁰ 5s²는 이 원소의 화학적 특성을 결정하며, 완전히 채워진 d-오비탈은 부드러운 금속 특성과 이가성 화합물 형성 경향을 유도합니다. 이 원소는 1817년 프리드리히 스트로메이어와 카를 사무엘 레베레히트 헤르만이 독일 약국에서 판매된 아연탄산염 샘플의 불순물로 동시에 발견되었습니다. 라틴어 "cadmia"와 그리스어 "καδμεία"에서 유래한 명칭은 칼라민 광석과 이집트 신화의 테베 창건자 카드모스를 연상시킵니다. 카드뮴의 산업적 중요성은 핵특성과 반도체 특성을 활용한 특수 응용을 통해 발전했으며, 현대적 활용은 핵반응로 제어장치와 광전지 기술에 집중되어 있습니다.

물리적 성질과 원자 구조

기본 원자 파라미터

카드뮴은 [Kr] 4d¹⁰ 5s² 전자배치를 갖는 48번 원소로, 완전히 채워진 d-오비탈을 가진 후이행 금속에 속합니다. 표준 원자량은 정밀 측정 시 112.414 ± 0.004 u이며, 일반 계산에서는 112.41 ± 0.01 u로 간략화됩니다. 아연과 인듐 사이의 금속 반지름은 첫 번째 전이계열 수축 현상을 반영하며, 완전한 d-오비탈은 전이금속 자성을 제거하고 카드뮴의 부드러움과 가단성을 증대시킵니다. 유효 핵전하의 영향은 이온화 에너지 패턴을 통해 나타나며, 5s 전자 이온화 에너지는 d-오비탈의 차폐 효과를 반영합니다.

거시적 물리적 특성

카드뮴은 상온에서 부드럽고 은백색에서 은청색 톤을 띠는 금속 고체로, 육방 최밀 집합 결정 구조를 나타냅니다. 이 원소는 뛰어난 가단성과 연성을 보여주며, 기계적 변형에 강한 특성을 가집니다. 밀도 측정치는 중금속 특유의 높은 질량 밀도를 보이며, 열적 특성은 중간 정도의 금속 결합력을 반영합니다. 결정 구조 분석에서 12의 배위수와 효율적인 원자 배열이 확인되었으며, 이는 물질의 기계적 특성에 기여합니다. 상 변화는 명확한 융점과 끓는점 전이를 보이며, 온도 의존적 특성 변화는 육방 최밀 구조의 열팽창 계수와 일치합니다.

화학적 성질과 반응성

전자 구조와 결합 특성

카드뮴의 화학 반응성은 [Kr] 4d¹⁰ 5s² 전자구조에서 비롯되며, 5s 전자쌍의 방출을 통해 주로 +2 산화 상태를 나타냅니다. 완전한 d¹⁰ 구조는 이전 전이금속의 가변 산화 상태를 제거하며, 특수 화합물 내 Cd₂²⁺ 이이온 결합을 통한 +1 산화 상태도 관찰됩니다. 유기금속 화합물과 착화합물에서는 5p 및 5d 공궤도가 하이브리드 결합을 형성하며, 폴링 전기음성도 척도에서 중간 수준의 값을 보여 이온성과 공유성 결합 경향을 균형 있게 나타냅니다.

전기화학적 및 열역학적 성질

카드뮴의 전기화학적 특성은 표준 수소전극 대비 음의 전극 전위를 보이는 중간 활성 금속 특성을 나타냅니다. Cd²⁺/Cd 전극쌍은 전기화학적 환원 전위를 보이며, 전자친화도 측정치는 금속성 특성과 일치하는 음이온 형성 경향이 낮음을 보여줍니다. 이온화 에너지는 전자구조를 반영하여 첫 번째 이온화는 중간 에너지가 필요하지만 두 번째 이온화 에너지는 급격히 증가합니다. 화합물의 열역학적 안정성은 음이온 종류에 따라 다양하며, 황화물과 산화물이 할로겐화물보다 안정성이 높습니다. 생성 엔탈피와 깁스 자유 에너지는 다양한 조건에서 화합물 안정성과 반응 자발성을 예측하는 기준이 됩니다.

화합물과 착화합물 형성

이원 및 삼원 화합물

카드뮴은 비금속 원소와 광범위한 이원 화합물을 형성하며, 안정성과 구조에서 체계적 경향을 보입니다. CdO는 열분해 시 갈색 무정형체와 암적 결정형 암염 구조의 두 가지 다형성을 나타냅니다. 황화 카드뮴 CdS는 육방정계 와르츠광과 입방정계 스phaalerite 구조로 결정화되며, 광전도 특성과 노란색을 특징으로 합니다. 할로겐화물 CdCl₂, CdBr₂, CdI₂는 층상 구조와 육면체 배위를 가지며 극성 용매에 높은 용해도를 보입니다. 삼원 화합물로는 태양전지에 최적화된 밴드갭 에너지를 가진 직접 밴드갭 반도체 CdTe가 포함됩니다.

배위화학과 유기금속 화합물

카드뮴 착화합물은 리간드의 입체적 및 전자적 특성에 따라 사면체와 육면체 구조를 선호합니다. 황과 질소 기반 리간드와의 강한 상호작용은 티올, 아민, 인산 리간드와 안정된 착화합물 형성을 가능하게 합니다. d¹⁰ 구조로 인해 결정장 안정화 에너지는 미미하며, 구조 결정은 주로 입체적 및 정전기적 요인에 의존합니다. 유기금속 화학에서는 Cd-C σ-결합을 가진 유기카드뮴 화합물이 존재하지만 열적 불안정성으로 합성 응용이 제한됩니다. 특수 착화합물로는 Cd₂²⁺ 이이온을 포함하는 카드뮴(I) 테트라클로로알루미네이트가 있으며, 저산화 상태에서의 금속-금속 결합을 보여줍니다.

자연 존재와 동위원소 분석

지화학적 분포와 존재량

카드뮴은 지각에 0.1-0.5 ppm 농도로 존재하며, 아연 광물화와 독점적으로 연관되어 있습니다. 주요 카드뮴 광물인 그린오키트 CdS는 산화된 아연 광상에서 희귀하게 생성됩니다. 이온 반지름 유사성으로 인해 Cd²⁺Zn²⁺ 격자 부위에 이소형치적 대치를 통해 농축되며, 산업적 생산은 아연 제련 공정에서 전량 추출됩니다. 철강 스크랩 처리를 통한 부생 회수는 전 세계 공급량의 약 10%를 차지합니다.

핵특성과 동위원소 조성

자연 카드뮴은 106-116 질량수를 가진 8개 동위원소로 구성되며, ¹¹⁰Cd, ¹¹¹Cd, ¹¹²Cd가 안정핵종입니다. 장수 방사성 동위원소 ¹¹³Cd와 ¹¹⁶Cd는 각각 7.7 × 10¹⁵년, 2.9 × 10¹⁹년의 반감기를 가지며, β⁻ 붕괴와 이중 β 붕괴를 겪습니다. 예측된 불안정 동위원소 ¹⁰⁶Cd, ¹⁰⁸Cd, ¹¹⁴Cd는 실험적 검출 한계를 넘는 초장수 반감기로 인해 관찰되지 않았습니다. 인공 동위원소는 ⁹⁵Cd부터 ¹³²Cd까지 존재하며, ¹⁰⁹Cd(462.6일)와 ¹¹³ᵐCd(14.1년)가 핵연구에 활용됩니다. 특히 ¹¹³Cd는 뛰어난 열중성자 포획 단면적을 가져 핵반응로 제어와 중성자 물리학 연구에 필수적입니다.

산업적 생산과 기술적 응용

추출 및 정제 기술

산업적 카드뮴 생산은 아연의 고온 금속제련 공정에서 이루어지며, 아연과 카드뮴의 휘발도 차이를 활용합니다. 주요 추출은 아연-카드뮴 증기를 분별 증류하여 중간 온도에서 응축시키며, 전기분해 정제는 황산염 용액에서 전기적 착화를 통해 고순도 금속을 얻습니다. 부생 회수는 철강 산업 먼지에서 축적된 카드뮴을 처리하는 공정을 포함합니다. 세계 생산량은 연간 약 20,000톤이며, 주요 생산지는 아연 제련이 활발한 아시아, 북미, 유럽입니다.

기술적 응용과 미래 전망

현대 카드뮴 활용은 핵기술과 반도체 특성을 극대화한 고기술 분야에 집중됩니다. 핵반응로 제어봉은 ¹¹³Cd의 뛰어난 중성자 흡수 특성을 활용하며, 광전지 기술에서는 CdTe 박막 태양전지가 재생에너지 생성에 기여합니다. 특수 금속공학 분야에서는 마모 저감 특성을 가진 베어링 합금과 저융점 솔더에 사용되며, 실험장비에서는 325 nm, 354 nm, 442 nm 파장을 가진 헬륨-카드뮴 레이저가 분광학적 연구에 활용됩니다. 미래 기술 발전은 재생에너지 시스템 확장과 환경 규제 강화에 따라 안전 대체물질 개발이 지속될 것입니다.

역사적 발전과 발견

1817년 프리드리히 스트로메이어(괴팅겐)와 카를 헤르만(베를린)이 독일 약국의 아연탄산염 샘플에서 동시에 발견된 카드뮴은 순도 검증 과정에서 노란색 변색을 통해 확인되었습니다. 초기 분리법은 침전과 열적 환원을 결합한 분석 화학 기법을 사용했으며, 고전적 명칭은 칼라민 광석과 테베 창건자 카드모스에 기반합니다. 19세기 말 대규모 아연 제련이 가능해지면서 산업적 활용이 시작되었으며, 20세기에는 전기도금, 안료, 배터리 분야에서 주요 물질로 사용되다가 환경 및 건강 문제로 사용이 제한되었습니다.

결론

카드뮴은 핵특성과 반도체 특성을 결합한 독특한 금속 원소로, 핵기술과 재생에너지 시스템에서 필수적입니다. 완전한 d¹⁰ 전자구조는 이가성 화학과 부드러운 금속 특성을 결정하며, ¹¹³Cd의 중성자 흡수 능력은 핵반응로 제어 시스템의 핵심입니다. 현대 산업은 CdTe 광전지와 같은 고기술 응용에 집중되고 있으며, 환경 독성 문제로 인해 안전한 대체물질 연구와 포괄적 안전 규정이 필수적입니다. 향후 기술 발전은 특수 응용 분야 유지와 동시에 지속가능한 활용 및 환경 보호 조치 강화를 추구할 것입니다.

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